本发明涉及一种氮化硅质烧结体。
背景技术：
1、以往，氮化硅质烧结体作为在耐热性、强度、硬度方面优异的材料被关注，例如，作为发动机用部件使用。
2、近年来，以高效率进行电力的转换和控制的功率模块被用于电动汽车等。对于功率模块，不仅是绝缘性，还要求具有高效率地传递从半导体元件产生的热的高的热传导性和能够耐受温度循环产生的应力的高机械特性的绝缘基板。作为符合这种要求的绝缘基板的材料，本申请人以前公开了下述专利文献1所示的氮化硅质烧结体。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：国际公开第2005/019133号。
技术实现思路
1、本发明的一个方式的氮化硅质烧结体含有氮化硅粒子和钇硅氧氮化物粒子，气孔率为14％以下。
技术特征：1.一种氮化硅质烧结体，其中，
2.根据权利要求1所述的氮化硅质烧结体，其中，
3.根据权利要求2所述的氮化硅质烧结体，其中，
4.根据权利要求3所述的氮化硅质烧结体，其中，
5.根据权利要求4所述的氮化硅质烧结体，其中，
6.根据权利要求5所述的氮化硅质烧结体，其中，
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的氮化硅质烧结体，其中，
技术总结本发明的氮化硅质烧结体含有氮化硅粒子和钇硅氧氮化物(Yttrium Silicon Oxynitride)粒子，气孔率为14％以下。
技术研发人员：广濑康平,齐藤慎太郎,藤崎宏,古久保洋二
受保护的技术使用者：京瓷株式会社
技术研发日：技术公布日：2024/10/31
