本发明涉及半导体，尤其是一种应用于adb的led大灯及其制备方法。
背景技术：
1、随着车灯的逐渐智能化，自适应远光灯系统（adaptive driving beam，简称adb）基于传感器的输入信号自动调整光束的亮度、角度和形状，能够提供更好的照明效果，且大大提高了夜间驾驶的安全性，具有独特的优势。大多数新型自适应远光（adb）系统采用led矩阵设计，基于车灯的质量要求，如何确保led光源的光型均匀性，解决在小间距下的串光问题成为一种挑战。
2、传统避免相邻led芯片之间串光的方案是在led芯片之间填充具备反射率的白胶，由于白胶中存在大量胶质成分，若要达到对光线的全部反射、实现防串光的效果，通常要求具有一定的厚度，这使得led芯片之间的间距必须在200µm以上甚至达到400µm，无法满足小间距的要求。
3、目前，有公司通过采用ald（atomic layer deposition，原子层沉积技术）镀膜工艺在各led芯片及其荧光膜侧壁镀反射涂层的方式来解决串光问题，然而这种方式要求镀膜难度较大，镀膜过程过程耗时且成本较高，一次镀膜周期需要几天完成，严重影响了生产效率。
技术实现思路
1、为了克服以上不足，本发明提供了一种应用于adb的led大灯及其制备方法，采用更加高效且经济的方案、有效解决led光源在小间距下的串光问题。
2、本发明提供的技术方案为：
3、一方面，本发明提供了一种应用于adb的led大灯，包括：
4、以预先设定的间距阵列排布、并固定于布线基板表面的多颗led芯片；各led芯片具有发光上面和发光侧面，与发光上面相对的表面还设有芯片电极，且所述led芯片的发光上面朝上配置；
5、于布线基板表面、填充于led芯片之间的第一反射胶层，所述第一反射胶层的上表面不高于led芯片发光上面所在的平面，所述第一反射胶层的上表面为远离芯片电极的一侧表面；
6、形成于各led芯片表面的光转换层，所述光转换层至少覆盖对应led芯片的发光上面，且至少于相邻led芯片表面的光转换层之间形成有隔离槽，露出led芯片之间第一反射胶层的上表面；
7、具备反射性能的金属隔离件，嵌入于第一反射胶层表面、led芯片表面光转换层之间的隔离槽中，且所述金属隔离件的上表面不高于所述光转换层的上表面，所述光转换层的上表面为远离led芯片发光上面的一侧表面。
8、另一方面，本发明提供了一种led大灯制备方法，包括：
9、s01、提供多颗led芯片，led芯片具有发光上面和发光侧面，与发光上面相对的表面还设有芯片电极；将所述led芯片发光上面朝上以预先设定的间距阵列排布、并固定于布线基板表面；
10、s02、于led芯片之间填充光反射材料并固化，形成第一反射胶层，所述第一反射胶层的上表面不高于led芯片发光上面所在的平面，所述第一反射胶层的上表面为远离芯片电极的一侧表面；
11、s03、将一整块光转换层贴于所述led芯片表面，所述光转换层靠近led芯片的发光上面配置；
12、s04、至少于相邻led芯片之间的光转换层中形成隔离槽；
13、s05、于第一反射胶层表面、led芯片表面光转换层之间的隔离槽中嵌入具备反射性能的金属隔离件，且所述金属隔离件的上表面不高于所述光转换层的上表面，所述光转换层的上表面为远离led芯片发光上面的一侧表面，得到led大灯。
14、本发明提供的应用于adb的led大灯及其制备方法，于相邻led芯片之间的光转换层中形成隔离槽并嵌入金属隔离件，对led芯片射向侧面的光进行隔离和反射，防止相邻led芯片之间串光。相对于在led芯片之间填充白胶的方案来说，金属隔离件的隔离性能更为优良，能解决更小间距下的串光问题，即单位面积可以将像素点排列的更为紧密，且工艺简单、成本低，有利于实现led在adb中的应用。相对于ald侧面镀膜的方案来说，本工艺更加简单高效，有利于更快地实现批量化生产，从而提高生产效率和降低成本。
1.一种应用于adb的led大灯，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的应用于adb的led大灯，其特征在于，所述隔离槽形成于相邻led芯片之间的光转换层中，及所述光转换层中隔离槽下方的部分第一反射胶层中。
3.如权利要求1或2所述的应用于adb的led大灯，其特征在于，所述金属隔离件为长条形丝状结构，截面为规则形状，整体长度不小于对应led芯片边缘的长度，沿led芯片的侧边配置于隔离槽中。
4.如权利要求1或2所述的应用于adb的led大灯，其特征在于，所述金属隔离件包括多个金属隔离子件，所述金属隔离子件沿led芯片的侧边紧密排布于第一反射胶层表面。
5.如权利要求4所述的应用于adb的led大灯，其特征在于，所述金属隔离子件为长条形丝状结构，截面为规则形状，整体长度不小于对应led芯片边缘的长度。
6.如权利要求5所述的应用于adb的led大灯，其特征在于，所述金属隔离子件中的多个金属隔离子件具备相同的规则形状的截面，或具备2个以上不同规则形状的截面。
7.如权利要求1或2或5或6所述的应用于adb的led大灯，其特征在于，所述led芯片之间于所述第一反射胶层表面以及隔离槽中还形成有第二反射胶层，所述第二反射胶层的上表面与所述光转换层的上表面齐平，且所述金属隔离件嵌于所述第二反射胶层中。
8.如权利要求7所述的应用于adb的led大灯，其特征在于，所述金属隔离件的上表面与光转换层的上表面齐平。
9.如权利要求1或2或5或6或8所述的应用于adb的led大灯，其特征在于，所述相邻led芯片之间的距离为30μm-100μm；相邻光转换层之间凹槽的宽度为30μm-100μm。
10.如权利要求1或2或5或6或8所述的应用于adb的led大灯，其特征在于，所述布线基板上配置有与各led芯片独立对应配置的驱动芯片，用于驱动对应的led芯片。
11.如权利要求1或2或5或6或8所述的应用于adb的led大灯，其特征在于，所述led大灯中还包括与所述布线基板导电连接的驱动基板，用于独立驱动所述led大灯中的各led芯片。
12.一种led大灯制备方法，其特征在于，包括：
13.如权利要求12所述的led大灯制备方法，其特征在于，所述至少于相邻led芯片之间的光转换层中形成隔离槽中，包括：于相邻led芯片之间的光转换层和部分第一反射胶层中形成隔离槽。
14.如权利要求12或13所述的led大灯制备方法，其特征在于，所述金属隔离件为长条形丝状结构，截面为规则形状，整体长度不小于对应led芯片边缘的长度，沿led芯片的侧边配置于隔离槽中。
15.如权利要求12或13所述的led大灯制备方法，其特征在于，所述金属隔离件包括多个金属隔离子件，所述金属隔离子件沿led芯片的侧边紧密排布于第一反射胶层表面。
16.如权利要求15所述的led大灯制备方法，其特征在于，所述金属隔离子件为长条形丝状结构，截面为规则形状，整体长度不小于对应led芯片边缘的长度。
17.如权利要求16所述的led大灯制备方法，其特征在于，所述金属隔离子件中的多个金属隔离子件至少有一个规则形状的截面。
18.如权利要求12或13或16或17所述的led大灯制备方法，其特征在于，于形成的隔离槽中嵌入金属隔离件之后，还包括：于嵌入完所有金属隔离件之后的隔离槽中，进一步在第一反射胶层表面填充光反射材料并固化，形成与光转换层上表面齐平的第二反射胶层。
19.如权利要求18所述的led大灯制备方法，其特征在于，所述金属隔离件的上表面与光转换层的上表面齐平。
20.如权利要求12或13或16或17或19所述的led大灯制备方法，其特征在于，所述相邻led芯片之间的距离为30μm-100μm；相邻光转换层之间凹槽的宽度为30μm-100μm。
