本发明涉及半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法。
背景技术：
1、在使外延层形成于单晶的sic晶片的情况下，有时在sic晶片中除形成有外延层的面之外的面形成引起sic晶片的破裂等的多晶的凸起物。对此，例如在专利文献1中提出了一种利用因晶体性的不同引起的激光的吸收率差，对形成了凸起物的整个面照射激光而去除凸起物的技术。
2、专利文献1：日本特开2021-70617号公报
3、然而，在以往的技术中，不是对凸起物进行检测而去除凸起物，而是仅通过由于晶体性的不同导致的激光的吸收率差来去除凸起物，因此不能基于凸起物的有无以及尺寸等而进行激光的控制。因此，具有如下问题，即，不能完全地去除凸起物，或由于激光而在半导体基板产生凹陷等损伤。
技术实现思路
1、在此，本发明是鉴于如上所述的问题而提出的，其目的在于提供一种能够适当地去除多晶的凸起物的技术。
2、本发明涉及的半导体装置的制造装置具有：工作台，半导体部件以第2主面的至少一部分露出的状态载置于该工作台，该半导体部件包含半导体基板、设置于所述半导体基板的外延层，该半导体部件具有所述外延层的与所述半导体基板相反侧的第1主面、所述半导体基板的与所述外延层相反侧的所述第2主面；激光振荡部，其能够对载置于所述工作台的所述半导体部件的所述第2主面照射第1激光和功率高于所述第1激光的第2激光；散射光检测部，其在所述半导体部件的所述第2主面存在有多晶的凸起物的情况下，对所述第1激光中被所述凸起物散射出的散射光进行检测；以及激光控制部，其基于所述散射光检测部的检测结果，使所述激光振荡部向所述凸起物照射所述第2激光。
3、发明的效果
4、根据本发明，通过第1激光的散射光对多晶的凸起物进行检测，对检测出的凸起物照射功率高于第1激光的第2激光。根据如上所述的结构，能够适当地去除多晶的凸起物。
1.一种半导体装置的制造装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造装置，其中，
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造装置，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造装置，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造装置，其中，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造装置，其中，
8.根据权利要求5或6所述的半导体装置的制造装置，其中，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置的制造装置，其中，
10.一种半导体装置的制造方法，其具有以下工序：
