包括背面布线的集成电路的制作方法

allin2025-04-02  26


本公开的实施例涉及集成电路,具体地,涉及包括背面布线的集成电路。


背景技术:

1、由于对高集成度的需求和半导体工艺的进步,集成电路中布线的宽度、间距和/或高度可能会减小,因此布线寄生成分的影响可能会增大。此外,为了降低功耗、提高运行速度等,集成电路的电源电压可能会降低,因此布线寄生成分对集成电路的影响可能会变得更严重。尽管存在这种寄生成分,但是仍然需要集成电路(包括具有结构相同的单元的单元阵列)根据各种应用的要求稳定地提供高集成度和高性能。


技术实现思路

1、根据本公开的实施例,提供了一种集成电路,该集成电路包括通过背面配线布线的单元阵列。

2、根据本公开的实施例,提供了一种集成电路,所述集成电路包括:存储单元阵列;多个栅电极,所述多个栅电极在衬底上方沿第一方向延伸;多条字线,所述多条字线在所述衬底上方沿所述第一方向延伸;多条位线,所述多条位线在所述衬底下方沿与所述第一方向相交的第二方向延伸;以及多个第一接触,所述多个第一接触在垂直方向上穿过所述衬底并且分别连接到所述多条位线。

3、根据本公开的实施例,提供了一种集成电路,所述集成电路包括:存储单元阵列;多个栅电极,所述多个栅电极在衬底上方沿第一方向延伸;多条位线,所述多条位线在所述衬底上方沿与所述第一方向相交的第二方向延伸;多条字线,所述多条字线在所述衬底下方沿所述第一方向延伸;以及多个接触,所述多个接触在垂直方向上穿过所述衬底,并且所述多个接触中的每一个接触连接到所述多个栅电极中的相应栅电极和所述多条字线中的相应字线。

4、根据本公开的实施例,提供了一种集成电路,所述集成电路包括:存储单元阵列;多个栅电极,所述多个栅电极在衬底上方沿第一方向延伸;多条字线,所述多条字线在所述衬底上方沿所述第一方向延伸;多条位线,所述多条位线在所述衬底上方沿与所述第一方向相交的第二方向延伸;多条第一电力线,所述多条第一电力线在所述衬底下方沿所述第二方向延伸并且被配置为接收第一电源电压;多条第二电力线,所述多条第二电力线在所述衬底下方沿所述第二方向延伸并且被配置为接收第二电源电压;以及多个接触,所述多个接触在垂直方向上穿过所述衬底,并且所述多个接触中的每一个接触连接到所述多条第一电力线中的相应第一电力线和所述多条第二电力线中的相应第二电力线。

5、根据本公开的实施例,提供了一种集成电路,所述集成电路包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多个存储单元;多个栅电极,所述多个栅电极在衬底上方沿第一方向延伸;多条字线,所述多条字线在所述衬底上方沿所述第一方向延伸;多条位线,所述多条位线在所述衬底上方沿与所述第一方向相交的第二方向延伸;以及多个第一接触,所述多个第一接触中的每一个第一接触包括在所述衬底下方沿所述第二方向延伸的第一部分,其中,所述存储单元阵列中包括的所述多个存储单元中的每一个存储单元包括在第一节点和第二节点处彼此交叉耦接的第一反相器和第二反相器,并且其中,所述多个第一接触中的每一个第一接触电连接到所述第一节点或所述第二节点。



技术特征:

1.一种集成电路,所述集成电路包括:

2.根据权利要求1所述的集成电路,所述集成电路还包括:

3.根据权利要求2所述的集成电路,所述集成电路还包括多条第二电力线,所述多条第二电力线在所述衬底上方沿所述第二方向延伸,并且被配置为接收第二电源电压,

4.根据权利要求3所述的集成电路,其中,所述多条第一电力线中的每一条第一电力线在所述垂直方向上的厚度大于所述多条第二电力线中的每一条第二电力线在所述垂直方向上的厚度。

5.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述多条位线包括在所述第一方向上交替排列的多条第一位线和多条第二位线,

6.根据权利要求5所述的集成电路,其中,所述多个存储单元中的每一个存储单元包括多个晶体管,所述多个晶体管包括所述多个栅电极中的至少一个栅电极,并且

7.一种集成电路,所述集成电路包括:

8.根据权利要求7所述的集成电路,所述集成电路还包括:

9.根据权利要求8所述的集成电路,所述集成电路还包括多条第三电力线,所述多条第三电力线在所述多条第一电力线和所述多条第二电力线的上方沿所述第二方向延伸,并且被配置为接收所述第一电源电压,

10.根据权利要求9所述的集成电路,其中,所述多条字线中的每一条字线在所述垂直方向上的厚度大于所述多条第三电力线中的每一条第三电力线在所述垂直方向上的厚度。

11.根据权利要求8所述的集成电路,其中,所述多条第一电力线和所述多条第二电力线中的每一条电力线在所述多条位线中彼此相邻的两条位线之间沿所述第二方向延伸。

12.根据权利要求7所述的集成电路,其中,所述多条位线包括在所述第一方向上交替排列的多条第一位线和多条第二位线,

13.根据权利要求12所述的集成电路,其中,所述多个存储单元中的每一个存储单元包括多个晶体管,所述多个晶体管包括所述多个栅电极中的至少一个栅电极,并且

14.根据权利要求7所述的集成电路,其中,所述多个接触中的每一个接触包括连接到所述多个栅电极中的一个栅电极的顶表面以及连接到所述多条字线中的一条字线的底表面。

15.一种集成电路,所述集成电路包括:

16.根据权利要求15所述的集成电路,其中,所述多个第一接触中的每一个第一接触还包括在垂直方向上穿过所述衬底的第二部分和第三部分,并且

17.根据权利要求16所述的集成电路,其中,所述第二部分包括连接到所述多个栅电极中的一个栅电极的顶表面。

18.根据权利要求17所述的集成电路,所述集成电路还包括在所述衬底上方沿所述第一方向延伸的多个第二接触,

19.根据权利要求15所述的集成电路,所述集成电路还包括:

20.根据权利要求15所述的集成电路,其中,所述多条位线包括在所述第一方向上交替排列的多条第一位线和多条第二位线,并且


技术总结
提供了一种集成电路,所述集成电路包括:存储单元阵列;多个栅电极,所述多个栅电极在衬底上方沿第一方向延伸;多条字线,所述多条字线在所述衬底上方沿所述第一方向延伸;多条位线,所述多条位线在所述衬底下方沿与所述第一方向相交的第二方向延伸;以及多个第一接触,所述多个第一接触在垂直方向上穿过所述衬底并且分别连接到所述多条位线。

技术研发人员:成昌训,曹孝赈,唐昊莹,金兑衡,李於晋
受保护的技术使用者:三星电子株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/10/31
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