本公开涉及一种半导体存储器装置以及制造该半导体存储器装置的方法，并且具体地，涉及一种包括静态随机存取存储器(sram)单元的半导体存储装置以及制造该半导体存储器装置的方法。
背景技术：
1、由于半导体装置的小型化、多功能和/或低成本特性，半导体装置被认为是电子工业中的重要元件。半导体装置被分为用于存储数据的半导体存储器装置、用于处理数据的半导体逻辑装置、以及包括存储器元件和逻辑元件两者的混合半导体装置。随着电子工业的发展，对于具有改进的特性的半导体装置的需求日益增加。例如，对于具有高可靠性、高性能和/或多功能的半导体装置的需求日益增加。为了满足这种需求，半导体装置的结构复杂性和/或集成密度正在增加。
技术实现思路
1、本发明构思的实施例提供了一种具有改善的电特性和增加的集成密度的半导体存储器装置。
2、本发明构思的实施例提供了一种制造具有改善的电特性和增加的集成密度的半导体存储器装置的方法。
3、根据本发明构思的实施例，一种半导体存储器装置可以包括：
4、衬底，其包括彼此相对的第一表面和第二表面；下有源区，其在第一表面上，下有源区包括彼此间隔开的下栅电极和下有源接触件；上有源区，其堆叠在下有源区上，上有源区包括彼此间隔开的上栅电极和上有源接触件；第一金属层，其在第一表面上；以及背侧金属层，其在第二表面上。背侧金属层可以包括将下栅电极电连接到下有源接触件的第一共享焊盘。第一金属层可以包括将上栅电极电连接到上有源接触件的第二共享焊盘。
5、根据本发明构思的实施例，半导体存储器装置可以包括衬底上的sram单元。sram单元可以包括：背侧金属层；下有源区，其在背侧金属层上；上有源区，其在下有源区上；以及第一金属层，其在上有源区上。下有源区可以包括以2×2阵列的形式布置的四个p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(pmosfet)，并且上有源区可以包括以2×2阵列的形式布置的四个n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nmosfet)。下有源区可以包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管，并且上有源区可以包括第一下拉晶体管和第二下拉晶体管。第一下拉晶体管可以堆叠在第一上拉晶体管上，并且第二下拉晶体管可以堆叠在第二上拉晶体管上。
6、根据本发明构思的实施例，一种半导体存储器装置可以包括：衬底，其包括彼此相对的第一表面和第二表面；下有源区，其在第一表面上，下有源区包括下沟道图案和下源极/漏极图案；上有源区，其堆叠在下有源区上，上有源区包括上沟道图案和上源极/漏极图案；下栅电极，其在下沟道图案上；上栅电极，其在上沟道图案上；层间绝缘层，其在上栅电极和上源极/漏极图案上；下有源接触件，其被设置为穿透衬底并且电连接到下源极/漏极图案；上有源接触件，其被设置为穿透层间绝缘层并且电连接到上源极/漏极图案；背侧金属层，其在衬底的第二表面上；下过孔件，其将背侧金属层电连接到下有源接触件；第一金属层，其在层间绝缘层上；上过孔件，其将第一金属层电连接到上有源接触件；以及切割结构，其被设置为穿透下栅电极、下有源接触件、上栅电极和上有源接触件。
1.一种半导体存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一共享焊盘和所述第二共享焊盘彼此竖直地重叠。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，在平面图中，所述第一共享焊盘的面积与所述第二共享焊盘的面积不同。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一共享焊盘被配置为静态随机存取存储器单元的第一反相器的输出端子，并且
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述背侧金属层还包括电力线。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一金属层还包括位线。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括在所述下栅电极与所述下有源接触件之间以及在所述上栅电极与所述上有源接触件之间的切割结构，
8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述切割结构延伸到所述下有源区和所述上有源区中。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述下有源区包括第一半导体图案和在所述第一半导体图案上的第二半导体图案，
10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述下有源区包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管，
11.一种半导体存储器装置，其包括在衬底上的至少一个静态随机存取存储器单元，
12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述下有源区还包括第一虚设晶体管和第二虚设晶体管，并且
13.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述下有源区还包括第一传输门晶体管和第二传输门晶体管，并且
14.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述背侧金属层包括第一共享焊盘，所述第一共享焊盘被配置为所述至少一个静态随机存取存储器单元的第一反相器的输出端子，并且
15.根据权利要求14所述的半导体存储器装置，其中，所述背侧金属层还包括电力线，并且
16.一种半导体存储器装置，包括：
17.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，所述下栅电极被所述切割结构划分成第一下栅电极和第二下栅电极，
18.根据权利要求17所述的半导体存储器装置，其中，所述背侧金属层包括将所述第一下栅电极电连接到所述第二下有源接触件的第一共享焊盘，以及
19.根据权利要求18所述的半导体存储器装置，其中，所述第一共享焊盘和所述第二共享焊盘彼此竖直地重叠。
20.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，其中，所述背侧金属层包括电力线，并且
