本发明有关于适用于一数据储存装置的一种数据处理方法，可有效提高存储器的存取效率。
背景技术：
1、随着数据储存装置的科技在近几年快速地成长，许多数据储存装置，如符合安全数位(secure digital，缩写为sd)/多媒体卡(multi media card，缩写为mmc)规格、复合式快闪存储器(compact flash，缩写为cf)规格、记忆条(memory stick，缩写为ms)规格与极数位(extreme digital，缩写为xd)规格的记忆卡、固态硬碟、嵌入式多媒体记忆卡(embedded multi media card，缩写为emmc)以及通用快闪存储器储存(universal flashstorage，缩写为ufs)已经广泛地被应用在多种用途上。因此，在这些数据储存装置上，如何有效率的控制存取操作也变成一个重要的议题。
技术实现思路
1、根据本发明的一实施例，一种数据储存装置，包括一存储器装置与一存储器控制器。存储器装置包括多个存储器晶粒，各存储器晶粒包括多个平面，各存储器晶粒的这些平面之一者对应于多个平面索引值之一者，并且各平面包括多个存储器区块，各存储器区块包括多个分页，这些存储器区块形成多个超区块，各超区块包括一既定数量的这些存储器区块，并且该既定数量的这些存储器区块分别位于不同存储器晶粒的不同平面。存储器控制器耦接存储器装置，用以存取存储器装置，响应于接收自一主机装置的一写入指令，存储器控制器执行一写入操作，用以将一既定数据写入存储器装置，并且于写入操作中，存储器控制器自超区块中选择一者作为写入操作的一第一目标超区块，并且在存储器晶粒之间以循环的方式将既定数据按照平面索引值的顺序依序写入属于第一目标超区块的多个分页。各存储器晶粒包括至少一第一平面与一第二平面，在既定数据所对应的写入操作中，对第一目标超区块中所有存储器晶粒位于第一平面的一第一分页所执行的写入操作会早于对第一目标超区块中所有存储器晶粒位于第二平面的一第一分页所执行的写入操作。
2、根据本发明的一实施例，一种数据处理方法，适用于一存储器装置，该存储器装置包括多个存储器晶粒，各存储器晶粒包括多个平面，各存储器晶粒的这些平面之一者对应于多个平面索引值之一者，并且各平面包括多个存储器区块，各存储器区块包括多个分页，这些存储器区块形成多个超区块，各超区块包括一既定数量的这些存储器区块，并且该既定数量的这些存储器区块分别位于不同存储器晶粒的不同平面，该方法包括：响应于接收自一主机装置的一写入指令执行一写入操作，用以将一既定数据写入存储器装置。其中执行写入操作的步骤还包括：自超区块中选择一者作为写入操作的一第一目标超区块；以及在存储器晶粒之间以循环的方式将既定数据按照平面索引值的顺序依序写入属于第一目标超区块的多个分页。各存储器晶粒包括至少一第一平面与一第二平面，并且在存储器晶粒之间以循环的方式将既定数据按照平面索引值的顺序依序写入属于第一目标超区块的这些分页的步骤还包括：依序对第一目标超区块中所有存储器晶粒位于第一平面的一第一分页执行该写入操作；以及依序对第一目标超区块中所有存储器晶粒位于第二平面的一第一分页执行写入操作，其中对位于第一平面的这些第一分页所执行的写入操作会早于对位于第二平面的这些第一分页所执行的写入操作。
1.一种数据储存装置，包括：
2.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于，在对该第一目标超区块中所有存储器晶粒位于该第一平面的该第一分页所执行的该写入操作与对该第一目标超区块中所有存储器晶粒位于该第二平面的该第一分页所执行的该写入操作完成后，该存储器控制器接续执行该第一目标超区块中所有存储器晶粒位于该第一平面的一第二分页所对应的该写入操作，并且在对该第一目标超区块中所有存储器晶粒位于该第一平面的该第二分页所执行的该写入操作完成后，该存储器控制器接续执行该第一目标超区块中所有存储器晶粒位于该第二平面的一第二分页所对应的该写入操作。
3.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于，这些超区块之一者对应于多个超区块索引值之一者，并且当该第一目标超区块的可用空间小于或等于一临界值时，该存储器控制器按照这些超区块索引值的顺序自这些超区块中选择另一者作为该写入操作的一第二目标超区块，并且接续在这些存储器晶粒之间以循环的方式将该既定数据中尚未被写入该存储器装置的部分按照这些平面索引值的顺序依序写入属于该第二目标超区块的多个分页。
4.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于，这些存储器晶粒包括至少一第一晶粒与一第二晶粒，并且在该既定数据所对应的该写入操作中，由该存储器控制器对属于该第一目标超区块的这些分页所执行的该写入操作按时间先后顺序依序为该第一晶粒位于该第一平面的该第一分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第一平面的该第一分页的该写入操作、该第一晶粒位于该第二平面的该第一分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第二平面的该第一分页的该写入操作、该第一晶粒位于该第一平面的一第二分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第一平面的一第二分页的该写入操作、该第一晶粒位于该第二平面的一第二分页的该写入操作、以及该第二晶粒位于该第二平面的一第二分页的该写入操作。
5.如权利要求4所述的数据储存装置，其特征在于，该第一晶粒与该第二晶粒耦接该存储器装置的相同或不同的通道。
6.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于，这些存储器晶粒包括一第一晶粒、一第二晶粒、一第三晶粒与一第四晶粒，并且在该既定数据所对应的该写入操作中，由该存储器控制器对属于该第一目标超区块的这些分页所执行的该写入操作按时间先后顺序依序为该第一晶粒位于该第一平面的该第一分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第一平面的该第一分页的该写入操作、该第三晶粒位于该第一平面的该第一分页的该写入操作、该第四晶粒位于该第一平面的该第一分页的该写入操作、该第一晶粒位于该第二平面的该第一分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第二平面的该第一分页的该写入操作、该第三晶粒位于该第二平面的该第一分页的该写入操作、该第四晶粒位于该第二平面的该第一分页的该写入操作、该第一晶粒位于该第一平面的一第二分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第一平面的一第二分页的该写入操作、该第三晶粒位于该第一平面的一第二分页的该写入操作、该第四晶粒位于该第一平面的一第二分页的该写入操作、该第一晶粒位于该第二平面的一第二分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第二平面的一第二分页的该写入操作、该第三晶粒位于该第二平面的一第二分页的该写入操作、以及该第四晶粒位于该第二平面的一第二分页的该写入操作。
7.如权利要求6所述的数据储存装置，其特征在于，该第一晶粒与该第三晶粒耦接该存储器装置的一第一通道，该第二晶粒与该第四晶粒耦接该存储器装置的一第二通道。
8.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于，响应于接收自该主机装置欲读取该既定数据的一读取指令，该存储器控制器按照一逻辑顺序自该存储器装置读取该既定数据，其中读取该既定数据的该逻辑顺序相同于将该既定数据写入属于该第一目标超区块的这些分页的一写入顺序。
9.如权利要求8所述的数据储存装置，其特征在于，该逻辑顺序为该存储器控制器与该主机装置之间的一数据传输顺序。
10.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于，该既定数据包括多个部分，各部分被写入该存储器装置的一分页，并且于该既定数据中相邻的部分被写入不同的存储器晶粒。
11.一种数据处理方法，适用于一存储器装置，该存储器装置包括多个存储器晶粒，各存储器晶粒包括多个平面，各存储器晶粒的这些平面之一者对应于多个平面索引值之一者，并且各平面包括多个存储器区块，各存储器区块包括多个分页，这些存储器区块形成多个超区块，各超区块包括一既定数量的这些存储器区块，并且该既定数量的这些存储器区块分别位于不同存储器晶粒的不同平面，该方法包括：
12.如权利要求11所述的数据处理方法，其特征在于，在对该第一目标超区块中所有存储器晶粒位于该第一平面的该第一分页所执行的该写入操作与对该第一目标超区块中所有存储器晶粒位于该第二平面的该第一分页所执行的该写入操作完成后，该数据处理方法还包括：
13.如权利要求11所述的数据处理方法，其特征在于，这些超区块之一者对应于多个超区块索引值之一者，并且当该第一目标超区块的可用空间小于或等于一临界值时，该数据处理方法还包括：
14.如权利要求12所述的数据处理方法，其特征在于，这些存储器晶粒包括至少一第一晶粒与一第二晶粒，并且在该既定数据所对应的该写入操作中，对属于该第一目标超区块的这些分页所执行的该写入操作按时间先后顺序依序为该第一晶粒位于该第一平面的该第一分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第一平面的该第一分页的该写入操作、该第一晶粒位于该第二平面的该第一分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第二平面的该第一分页的该写入操作、该第一晶粒位于该第一平面的该第二分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第一平面的该第二分页的该写入操作、该第一晶粒位于该第二平面的该第二分页的该写入操作、以及该第二晶粒位于该第二平面的该第二分页的该写入操作。
15.如权利要求14所述的数据处理方法，其特征在于，该第一晶粒与该第二晶粒耦接该存储器装置的相同或不同的通道。
16.如权利要求12所述的数据处理方法，其特征在于，这些存储器晶粒包括一第一晶粒、一第二晶粒、一第三晶粒与一第四晶粒，并且在该既定数据所对应的该写入操作中，对属于该第一目标超区块的这些分页所执行的该写入操作按时间先后顺序依序为该第一晶粒位于该第一平面的该第一分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第一平面的该第一分页的该写入操作、该第三晶粒位于该第一平面的该第一分页的该写入操作、该第四晶粒位于该第一平面的该第一分页的该写入操作、该第一晶粒位于该第二平面的该第一分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第二平面的该第一分页的该写入操作、该第三晶粒位于该第二平面的该第一分页的该写入操作、该第四晶粒位于该第二平面的该第一分页的该写入操作、该第一晶粒位于该第一平面的该第二分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第一平面的该第二分页的该写入操作、该第三晶粒位于该第一平面的该第二分页的该写入操作、该第四晶粒位于该第一平面的该第二分页的该写入操作、该第一晶粒位于该第二平面的该第二分页的该写入操作、该第二晶粒位于该第二平面的该第二分页的该写入操作、该第三晶粒位于该第二平面的该第二分页的该写入操作、以及该第四晶粒位于该第二平面的该第二分页的该写入操作。
17.如权利要求11所述的数据处理方法，其特征在于，该第一晶粒与该第三晶粒耦接该存储器装置的一第一通道，该第二晶粒与该第四晶粒耦接该存储器装置的一第二通道。
18.如权利要求11所述的数据处理方法，其特征在于，还包括：
19.如权利要求18所述的数据处理方法，其特征在于，该逻辑顺序为耦接该存储器装置的一存储器控制器与该主机装置之间的一数据传输顺序。
20.如权利要求11所述的数据处理方法，其特征在于，该既定数据包括多个部分，各部分被写入该存储器装置的一分页，并且于该既定数据中相邻的部分被写入不同的存储器晶粒。
