本公开涉及一种等离子体处理装置。
背景技术：
1、例如，在专利文献1中，提出了以下内容：供给高频功率，接下来，对基板支承台的下部电极施加负极性的直流电压，以通过来自等离子体的正离子来对基板进行蚀刻。接下来，在停止高频功率的供给和负极性的直流电压的施加之后，对下部电极施加正极性的直流电压。其结果，负离子被供给到基板，通过负离子而使基板的正电荷量减少，由此使蚀刻效率提高。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020-77862号公报
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、本公开提供一种能够改善掩模的选择比的技术。
3、用于解决问题的方案
4、根据本公开的一个方式，提供一种等离子体处理装置，具备：等离子体处理腔室；基板支承部，其配置于所述等离子体处理腔室内，所述基板支承部具有下部电极；上部电极，其配置于所述基板支承部的上方；rf(射频)电源，其构成为向所述上部电极或所述下部电极提供rf信号，所述rf信号在重复期间内的第一副期间的期间具有第一功率水平，在所述重复期间内的第二副期间的期间具有第二功率水平；以及dc(直流)电源，其构成为向所述下部电极提供dc信号，所述dc信号在所述第一副期间内的延迟期间的期间具有关闭状态，在所述第一副期间的除所述延迟期间以外的期间具有多个dc脉冲的序列，在所述第二副期间具有关闭状态，其中，所述延迟期间为所述重复期间的2％～7％的范围内。
5、发明的效果
6、根据一个侧面，能够改善掩模的选择比。
1.一种等离子体处理装置，具备：
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，
8.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其中，
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，
10.一种等离子体处理装置，具备：
11.一种等离子体处理装置，具备：
