描述涉及制造半导体设备。本文所描述的解决方案可以被应用于提供有例如用于汽车产品的四方扁平无引线(qfn)封装的集成电路(ic)半导体设备。
背景技术：
1、可润湿侧翼(flank)是集成电路半导体设备的所期望的特征，因为它们增强了设备到最终衬底，例如诸如印刷电路板(pcb)的可焊性。
2、此外，可润湿侧翼便于焊点的自动光学检测(aoi)，这要归功于当被焊接到最终衬底时在器件的侧翼的焊料半月板的形成。
3、当并发地处理多个(ic)半导体设备时，可润湿侧翼常规是经由在沿着每个单个设备的外围延伸的连接杆处的“半切割(half-cut)”提供的。事实上，在(ic)半导体设备的当前制造工艺中，使用包括沿着每个设备的外围延伸的(牺牲)连接杆的金属连接结构，用于单个设备的多个衬底(引线框架)一起被保持在引线框架条中。多个设备因此被并发地处理并且最终被单片化为单个的设备。
4、在单片化步骤之前，可以执行镀覆步骤以用例如由锡制成的金属(可焊)层镀覆引线框架底部表面。“半切割”可能引起连接杆在镀覆步骤期间暴露在引线框架条的表面处，引起连接杆被相对大量的锡镀覆。
5、单片化刀片去除连接杆以及镀覆在连接杆上的可焊金属层。由于累积在连接杆上的金属的数目，刀片在单片化步骤期间的动作可能产生薄片(flake)或细丝，这些薄片或细丝会不期望地“桥连”邻近的引线，引起它们之间的短路。
6、这种不期望的电耦合(“短路”)可能引起设备的失效和随后的退件。
7、在本领域中需要旨在解决前述问题的解决方案。
技术实现思路
1、本文提供的一个实施例包括一种方法。
2、在本文所描述的解决方案中，处理步骤被添加到组装流程中，以抵制可能引起设备的失效的细丝/薄片的形成。
3、在本文所描述的解决方案中，在镀覆步骤期间被暴露的连接杆由绝缘材料覆盖，以抵制可焊材料在连接杆上生长/沉积。
4、本文所描述的解决方案可以被有利地应用于提供有可润湿侧翼的四方扁平无引线(qfn)封装。
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料是热固化绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述焊接材料包括锡。
4.根据权利要求1所述的方法，其中生长所述焊接材料包括：经由镀覆在所述公共导电衬底的所述第二表面上生长可焊金属层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中涂覆所述绝缘材料包括：经由滴涂或喷射在所述第二表面上涂覆所述绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其中涂覆所述绝缘材料包括：经由激光诱导正向转移lift在所述第二表面上涂覆所述绝缘材料。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中部分地切割包括：使用第一刀片，所述第一刀片具有第一厚度，并且其中提供单片化的单个半导体设备包括：利用第二刀片切割，所述第二刀片具有第二厚度，其中所述第一厚度小于所述第二厚度。
9.一种方法，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：在涂覆之前，去除存在于所述通道内的绝缘材料填充。
11.根据权利要求10所述的方法，其中存在于所述通道内的所述绝缘材料填充具有比所述绝缘材料层的厚度大的厚度。
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述绝缘材料层是热固化绝缘材料。
13.根据权利要求9所述的方法，其中所述焊接材料包括锡。
14.根据权利要求9所述的方法，其中涂覆所述绝缘材料层包括：经由滴涂或喷射在所述底部表面上提供所述绝缘材料层。
15.根据权利要求9所述的方法，其中涂覆所述绝缘材料层包括：经由激光诱导正向转移lift在所述底部表面上提供所述绝缘材料层。
16.根据权利要求9所述的方法，其中所述通道具有第一宽度，并且其中通过切割提供单片化的单个半导体设备包括：利用刀片切割，所述刀片具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。
17.一种方法，包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述绝缘材料层是热固化绝缘材料。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述绝缘材料层经由滴涂或喷射被提供在所述底部表面上。
20.根据权利要求17所述的方法，其中所述绝缘材料层经由激光诱导正向转移lift被提供在所述底部表面上。
