本发明涉及集成电路，特别是涉及一种防电流倒灌电路结构。
背景技术：
1、gpio(general purpose input/output)，即通用型输入输出接口是芯片中常见的模块之一，可以通过配置寄存器的方式改变接口输入或输出的功能。
2、芯片设计过程中，常常需要预留测试通路来检测电路内部节点工作时是否正常，由于芯片外部的io接口有限，通常会与一些输入信号pad共用同一个gpio接口。因此一般会采用图1所示的典型的t型开关来选择pad上的信号类型，通过控制寄存器的值来选择输入有效信号还是输出测试信号。图1中所示，当使能信号en_test信号为1时，开关管mp2、开关管mp3以及开关管mn2、开关管mn3开启，开关管mp1、开关管mn1关断，传输门t1关断，切换到测试模式，此时，pad上的输出信号有效，从pad上可以测量得到vtest节点的电压值或电流值；当使能信号en_test信号为0时，为输入模式，vtest测试通路断开，传输门t1导通，此时pad作为输入，接到内部电路。
3、考虑如下情况，电源电压vdd还未完全上电，假设此时为0，en_test为0，pad上外灌5v的电源电压大小的直流信号，vtest接地电压，testbench如图2所示。此时电源电压vdd未上电，因此左侧反相器不导通，反相器输出信号enb_test也为0。该模式下，期望输入信号能有效进入内部电路，因此pad到测试开关通路上应当不存在电流，但通过cadence spectre仿真可以发现，pad上到测试开关通路存在一定的漏电，仿真结果如图3所示。在-40℃到125℃范围内，pad上的电流在ma量级，有很大的漏电。经分析可知，由于vdd＝0，反相器输出信号enb_test也为0，开关管mp1、开关管mp2、开关管mp3管导通。pmos管衬底默认接电源电压vdd，即0，使得开关管mp1、开关管mp2、开关管mp3的衬底电压(bulk电压)与源端或者漏端的之间的寄生pn结导通，电流从bulk泄漏。因此该电路目前没有防电流倒灌的能力。同时，ma量级的电流流经尺寸较小的mos管会烧坏器件，实际应用时需要避免此类状况的发生。
4、为保证芯片正常工作，一般需要添加防倒灌电路。在当前芯片断电时，完全切断其他芯片到当前电路的通路。目前现有的防倒灌电路一般需要电容，使得防倒灌电路占用芯片面积较大，无法满足当今的芯片设计面积小低功耗的需求。
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题是提供一种防电流倒灌电路结构，能够满足当今的芯片设计面积小低功耗的需求。
2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种防电流倒灌电路结构，包括反相器和测试开关通路，所述反相器的输入端与使能信号en_test相连，所述测试开关通路包括开关管mp1、开关管mp2、开关管mp3、开关管mn1、开关管mn2、开关管mn3以及传输门t1，所述开关管mp1的栅端与使能信号en_test相连，源端与反相器的输出端相连，漏端与所述开关管mp2的源端相连；所述开关管mp2的栅端与所述反相器的输出端相连，源端与所述开关管mp3的源端相连，漏端与测试节点相连；所述开关管mp3的栅端与所述反相器的输出端相连，漏端与所述测试开关通路的pad相连；所述开关管mn1的栅端与所述反相器的输出端相连，源端接地，漏端与所述开关管mn2的源端相连；所述开关管mn2的栅端与使能信号en_test相连，源端与所述开关管mn3的源端相连，漏端与测试节点相连；所述开关管mn3的栅端与使能信号en_test相连，漏端与所述测试开关通路的pad相连；所述传输门t1的输入端与所述测试开关通路的pad相连，输出端与内部电路相连，控制端与反相器的输出端相连，互补控制端与所述使能信号en_test相连；所述开关管mp1的衬底端、所述开关管mp2的衬底端和所述开关管mp3的衬底端均连接至所述开关管mp1的漏端；所述开关管mn1的衬底端接地；所述开关管mn2的衬底端和所述开关管mn3的衬底端均连接至所述开关管mn1的漏端。
3、所述反相器包括开关管mp0、开关管mn0和开关管mp4，所述开关管mp0的栅端与所述使能信号en_test相连，源端与电源电压相连，漏端与所述开关管mp4的源端相连；所述开关管mn0的栅端与所述使能信号en_test相连，源端接地，漏端与所述开关管mp4的漏端相连；所述开关管mp4的栅端和衬底端均与所述开关管mn0的漏端相连；所述开关管mn0的漏端作为所述反相器的输出端。
4、所述反相器包括开关管mp0、开关管mn0和开关管mn4，所述开关管mp0的栅端与所述使能信号en_test相连，源端与电源电压相连，漏端与所述开关管mn4的漏端相连；所述开关管mn0的栅端与所述使能信号en_test相连，源端接地，漏端与所述开关管mn4的源端相连；所述开关管mn4的栅端和衬底端均与所述开关管mp0的漏端相连；所述开关管mn0的漏端作为所述反相器的输出端。
5、有益效果
6、由于采用了上述的技术方案，本发明与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：本发明改变原先电路mos管的衬底接法，同时相较于原始电路，可实现防倒灌功能，同时，本发明还增加了一个二极管连接的mos管，该mos管可以防止反相器衬底寄生pn结的漏电，本发明在原先gpio电路基础上，模拟电路改动代价小，占用芯片面积极小，附加的电路功耗极低。
1.一种防电流倒灌电路结构，包括反相器和测试开关通路，所述反相器的输入端与使能信号en_test相连，其特征在于，所述测试开关通路包括开关管mp1、开关管mp2、开关管mp3、开关管mn1、开关管mn2、开关管mn3以及传输门t1，所述开关管mp1的栅端与使能信号en_test相连，源端与反相器的输出端相连，漏端与所述开关管mp2的源端相连；所述开关管mp2的栅端与所述反相器的输出端相连，源端与所述开关管mp3的源端相连，漏端与测试节点相连；所述开关管mp3的栅端与所述反相器的输出端相连，漏端与所述测试开关通路的pad相连；所述开关管mn1的栅端与所述反相器的输出端相连，源端接地，漏端与所述开关管mn2的源端相连；所述开关管mn2的栅端与使能信号en_test相连，源端与所述开关管mn3的源端相连，漏端与测试节点相连；所述开关管mn3的栅端与使能信号en_test相连，漏端与所述测试开关通路的pad相连；所述传输门t1的输入端与所述测试开关通路的pad相连，输出端与内部电路相连，控制端与反相器的输出端相连，互补控制端与所述使能信号en_test相连；所述开关管mp1的衬底端、所述开关管mp2的衬底端和所述开关管mp3的衬底端均连接至所述开关管mp1的漏端；所述开关管mn1的衬底端接地；所述开关管mn2的衬底端和所述开关管mn3的衬底端均连接至所述开关管mn1的漏端。
2.根据权利要求1所述的防电流倒灌电路结构，其特征在于，所述反相器包括开关管mp0、开关管mn0和开关管mp4，所述开关管mp0的栅端与所述使能信号en_test相连，源端与电源电压相连，漏端与所述开关管mp4的源端相连；所述开关管mn0的栅端与所述使能信号en_test相连，源端接地，漏端与所述开关管mp4的漏端相连；所述开关管mp4的栅端和衬底端均与所述开关管mn0的漏端相连；所述开关管mn0的漏端作为所述反相器的输出端。
3.根据权利要求1所述的防电流倒灌电路结构，其特征在于，所述反相器包括开关管mp0、开关管mn0和开关管mn4，所述开关管mp0的栅端与所述使能信号en_test相连，源端与电源电压相连，漏端与所述开关管mn4的漏端相连；所述开关管mn0的栅端与所述使能信号en_test相连，源端接地，漏端与所述开关管mn4的源端相连；所述开关管mn4的栅端和衬底端均与所述开关管mp0的漏端相连；所述开关管mn0的漏端作为所述反相器的输出端。
