本发明的一实施方式涉及氧化物半导体膜。另外，本发明的一实施方式涉及包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管。另外，本发明的一实施方式涉及包括薄膜晶体管的电子设备。
背景技术：
1、近年来，取代非晶硅、低温多晶硅及单晶硅等硅半导体膜而使用氧化物半导体膜作为沟道的薄膜晶体管的开发不断发展(例如参见专利文献1～6)。这样的包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管与包括非晶硅膜的薄膜晶体管同样能够以简单的结构且通过低温工艺来形成。另外，已知包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管相较于包括非晶硅膜的薄膜晶体管而言具有高的迁移率。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2021-141338号公报
5、专利文献2：日本特开2014-099601号公报
6、专利文献3：日本特开2021-153196号公报
7、专利文献4：日本特开2018-006730号公报
8、专利文献5：日本特开2016-184771号公报
9、专利文献6：日本特开2021-108405号公报
技术实现思路
1、发明所要解决的课题
2、然而，包括现有的氧化物半导体膜的薄膜晶体管的场效应迁移率即便在使用具有结晶性的氧化物半导体膜的情况下也没有那么大。因此，期望对薄膜晶体管中使用的氧化物半导体膜的晶体结构进行改良来提高薄膜晶体管的场效应迁移率。
3、本发明的一实施方式鉴于上述问题而作成的，其目的之一在于提供具有新型晶体结构的氧化物半导体膜。另外，本发明的一实施方式的目的之一在于提供包括具有新型晶体结构的氧化物半导体膜的薄膜晶体管。另外，本发明的一实施方式涉及包括薄膜晶体管的电子设备。
4、用于解决课题的手段
5、本发明的一实施方式涉及的氧化物半导体膜是设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含铟(in)元素和选自由铝(al)元素、镓(ga)元素、钇(y)元素、钪(sc)元素及镧系元素组成的组中的第一金属(m1)元素，氧化物半导体膜包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过ebsd(电子背散射衍射)法获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
6、本发明的一实施方式涉及的薄膜晶体管包括上述氧化物半导体膜作为沟道。
7、本发明的一实施方式涉及的电子设备包括上述薄膜晶体管。
1.氧化物半导体膜，其是设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体膜，其中，
2.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，其中，
3.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，其中，
4.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，其中，
5.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，其中，
6.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，其中，
7.根据权利要求1～6中任一项所述的氧化物半导体膜，其中，
8.根据权利要求1～6中任一项所述的氧化物半导体膜，其中，
9.薄膜晶体管，其包括权利要求1～8中任一项所述的氧化物半导体膜作为沟道。
10.电子设备，其包括权利要求9所述的薄膜晶体管。
